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EMH2604
= --0
--1.8
VGS
--1.0A
2.5V D
= --
V, I D=
= --4.5
240
210
180
150
120
90
60
ID= --0.5A
RDS(on) -- VGS
--1A
--3A
[Pch]
Ta=25 ° C
240
220
200
180
160
140
120
100
80
60
RDS(on) -- Ta
.5A
V, I D
=
,I =
VGS
--3.0A
V GS
[Pch]
30
40
20
0
0
--1
--2
--3
--4
--5
--6
--7
--8
0
--60 --40
--20
0
20
40
60
80
100
120
140
160
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
10
7
| y fs | -- ID [Pch]
IT14535
VDS= --10V
7
5
Ambient Temperature, Ta -- ° C
IS -- VSD
IT14536
[Pch]
VGS=0V
5
3
3
2
--1.0
° C
° C
2
1.0
7
Ta
=
--2
5 ° C
25
75
7
5
3
2
5
3
2
--0.1
7
5
3
2
0.1
--0.01
2
3
5 7 --0.1
2
3
5 7 --1.0
2
3
5
7
--0.01
--0.3
--0.4
--0.5
--0.6
--0.7
--0.8
--0.9
--1.0
--1.1
5
3
Drain Current, ID -- A
SW Time -- ID
IT14537
[Pch]
VDD= --10V
VGS= --4.5V
7
5
Diode Forward Voltage, VSD -- V
Ciss, Coss, Crss -- VDS
IT14538
[Pch]
f=1MHz
2
100
7
5
td(off)
3
2
Ciss
3
2
10
7
td(on)
tf
tr
100
7
5
Coss
Crss
5
3
3
2
--0.01
2
3
5 7 --0.1
2
3
5 7 --1.0
2
3
5 7 --10
2
0
--2
--4
--6
--8
--10
--12
--14
--16
--18
--20
IDP= --20A (PW ≤ 10 μ s)
10
1m μ s
s
ID= --3A
3 10
s
10
0m
DC
op
era
tio
n
area is limited by RDS(on).
When mounted on ceramic substrate (900mm 2 × 0.8mm)
--4.5
--4.0
--3.5
--3.0
--2.5
--2.0
--1.5
--1.0
--0.5
0
0
VDS= --10V
ID= --3A
0.5 1.0
Drain Current, ID -- A
VGS -- Qg
1.5 2.0 2.5 3.0
3.5
IT14539
[Pch]
4.0 4.5
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
ASO
--100
7
5
3
2
--10 0
7
5
m
2
--1.0 s
7
5
3
2
Operation in this
--0.1
7
5
3 Ta=25 ° C
2 Single pulse
--0.01
--0.01 2 3 5 7 --0.1 2 3 5 7 --1.0 2 3 5 7 --10
2 3
IT14540
[Pch]
5 7 --100
Total Gate Charge, Qg -- nC
IT14541
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
IT16455
No.9006-5/9
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